2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2015年9月14日(月) 16:00 〜 18:00 PB6 (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-5] 放射光HAXPES・XRDによるNi/SiC界面反応層の化学結合状態及び結晶構造評価

〇安野 聡1、小金澤 智之1 (1.高輝度光科学研究セ)

キーワード:硬X線光電子分光

熱処理により形成されるNi/SiCの界面反応層の化学結合状態と結晶配向性についてHAXPESと2次元検出器を用いたXRD法による評価を行った。この結果、HAXPESからは界面にNiシリサイド層、最表面にグラファイト層が形成されることがわかった。XRDからは形成されたNiシリサイドはNi2Siが支配的であり、ドメイン構造を持った3次元配向であることが示唆された。