[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-PB6-5] 放射光HAXPES・XRDによるNi/SiC界面反応層の化学結合状態及び結晶構造評価

〇安野 聡¹、小金澤 智之¹ (1.高輝度光科学研究セ)

キーワード：硬X線光電子分光

熱処理により形成されるNi/SiCの界面反応層の化学結合状態と結晶配向性についてHAXPESと2次元検出器を用いたXRD法による評価を行った。この結果、HAXPESからは界面にNiシリサイド層、最表面にグラファイト層が形成されることがわかった。XRDからは形成されたNiシリサイドはNi₂Siが支配的であり、ドメイン構造を持った3次元配向であることが示唆された。