[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-PB6-9] Si及びC原子放出モデルに基づくSiC熱酸化メカニズムの統合理論

〇土方 泰斗¹、浅藤 亮祐¹ (1.埼玉大)

キーワード：炭化ケイ素、熱酸化、MOS界面

本報告では、SiC熱酸化プロセスの全貌を示すと共に、統合的なSiC熱酸化モデルの構築を行う。また、本提案モデルに基づき酸化界面におけるSi及びC格子間原子濃度をシミュレーションすることで、界面準位の形成メカニズム解明や密度低減化に資する酸化条件の導出を試みた。