[15a-1A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15a-1A-11] Photoluminescence Study of Oxidation-induced Faults in 4H-SiC Epilayers

〇(M1)Ryosuke Asafuji¹, Shuhei Yagi¹, Yasuto Hijikata¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:4H-SiC,faults,oxidation

熱酸化はSiCデバイスの絶縁膜形成において主に用いられている手法であり、欠かすことのできないデバイスプロセスである。今回、熱酸化後の4H-SiC基板に対しフォトルミネッセンス(PL)イメージング測定を行うことで、エピ層中の酸化によって誘起される欠陥の有無について調べた。その結果、過去に報告例のない線状の欠陥が発生することを新たに見出した。この欠陥の形成した原因について、SiCの酸化メカニズムに基づき議論を展開した。