[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-1A-11] フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察

〇(M1)浅藤 亮祐¹、八木 修平¹、土方 泰斗¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大理工研)

キーワード：4H-SiC、欠陥、酸化

熱酸化はSiCデバイスの絶縁膜形成において主に用いられている手法であり、欠かすことのできないデバイスプロセスである。今回、熱酸化後の4H-SiC基板に対しフォトルミネッセンス(PL)イメージング測定を行うことで、エピ層中の酸化によって誘起される欠陥の有無について調べた。その結果、過去に報告例のない線状の欠陥が発生することを新たに見出した。この欠陥の形成した原因について、SiCの酸化メカニズムに基づき議論を展開した。