[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15a-1B-2] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃バッファ層を用いたα-Ga₂O₃薄膜の結晶構造評価

〇神野 莉衣奈¹、伊藤 義人¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：ワイドバンドギャップ、酸化ガリウム、コランダム