2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月15日(火) 09:00 〜 11:45 1B (133+134)

座長:大島 孝仁(東工大)

09:30 〜 09:45

[15a-1B-3] アニールバッファ上に作製したSnドープalpha-Ga2O3薄膜の電気特性評価

〇赤岩 和明1、金子 健太郎1、藤田 静雄1 (1.京大院工)

キーワード:酸化ガリウム、ドーピング、酸化物半導体