[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15a-1B-4] オゾンMBE成長β-Ga₂O₃ホモエピタキシャル膜の表面モフォロジーのVI/III比依存性

〇佐々木 公平¹、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、MBE、表面モフォロジー

β-Ga₂O₃は、その材料物性および基板の量産性の点から、次世代の高耐圧低損失パワーデバイス用半導体材料として注目を集めている。今回、オゾンMBE成長Ga₂O₃ホモエピタキシャル膜の、表面モフォロジーのVI/III比依存性を調査した。その結果、それぞれの成長温度に対してVI/III比を最適化することで、良好な表面状態を得られることがわかった。