[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15a-1B-3] アニールバッファ上に作製したSnドープalpha-Ga₂O₃薄膜の電気特性評価

〇赤岩 和明¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ドーピング、酸化物半導体