2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月15日(火) 09:00 〜 11:45 1B (133+134)

座長:大島 孝仁(東工大)

10:00 〜 10:15

[15a-1B-5] KrFエキシマレーザーアニールによるβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温作製と光学特性評価

〇(DC)塩尻 大士1、福田 大二1、内田 啓貴1、髙野 詩織1、土嶺 信男2、小山 浩司3、金子 智4,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大、2.(株)豊島製作所、3.(株)並木精密宝石、4.神奈川県産技セ)

キーワード:酸化ガリウム、エキシマレーザーアニーリング、固相結晶成長