[15a-1B-1~10] 21.1 Joint Session K

[15a-1B-9] Low temperature growth of β -Ga₂O₃ films by atmospheric pressure plasma enhanced CVD

〇Takuya Kiguchi¹, Yukinori Nose¹, Kenshi Takada¹, Tsuyoshi Uehara², Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ., 2.Sekisui Chemical Co., LTD.)

Keywords:Ga2O3,wide band gap,plasma

β -Ga₂O₃は1アニオン系の単純酸化物であるものの4配位と6配位のGaが交互に積層する複雑な構造を有しており、熱エネルギーのみを用いた高温での成長方法ではGaの再蒸発による点欠陥の生成が懸念される。本研究では、膜中の欠陥を低減し、かつ低温成長が期待できる大気圧非平衡プラズマCVDプロセス(AP-CVD)に着目して研究を行っている。今回、成長温度を変化させて作製した薄膜の結晶性や実効ドナー密度との相関について検討したので報告する。