[15a-1C-1~7] 13.5 デバイス／集積化技術

[15a-1C-5] DNA/Si-MOSFETにおけるホールのゲート電圧変調による
メソスコピックブロッケード/階段現象

〇松尾 直人¹、中村 昇平¹、高田 忠雄¹、部家 彰¹、山名 一成¹、佐藤 旦²、横山 新²、大村 泰久³ (1.兵庫県立大院工、2.広島大ナノデバイス研、3.関西大院理工)

キーワード：メソスコピック、デオキシリボ核酸、シリコン

我々はλ-DNAをチャネル，Siをゲート/ソース/ドレイン電極とするMOSFETを世界に先駆けて開発し，ゲート電圧によるドレイン電流制御，更には，グアニン塩基による電荷保持を報告した。本研究はλ-DNAのメソスコピック領域での低温伝導特性を調査する。-2.5Vでのブロッケード現象と-2.5～-5V,-5～-10V,-10～-20Vのプラトー領域から構成される電流階段を観測した。DNA中のホールの波動関数はp-Siソース/ドレインに浸み込むと考えられる。ゲート電圧変調によるドレイン電流制御は多値論理回路の可能性を示唆する。