2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[15a-1C-1~7] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年9月15日(火) 10:00 〜 11:45 1C (135)

座長:小林 正治(東大)

11:30 〜 11:45

[15a-1C-7] Geの1次元配列を有するMOSトランジスタの室温伝導特性

〇(M2)千葉 悠貴1、矢野 真麻1、アブデルガファ 愛満1、Enrico Prati2、品田 高宏3、谷井 孝至1 (1.早大理工、2.CNR-IFN、3.東北大CIES)

キーワード：シングルイオン注入法、ゲルマニウム注入デバイス