[15a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-1D-1] γ’-Fe₄N薄膜のGaN(0001)面上への成長とその界面構造

〇(M1)木村 仁充¹、長谷川 繁彦¹ (1.阪大産研)

キーワード：半導体、窒化鉄、窒化ガリウム

半導体スピントロニクス実現のためには半導体へのスピン注入を高効率で実現する必要がある。γ’-Fe₄Nはハーフメタリックなバンド構造を持つことからスピン注入電極材料として期待されている。またスピン注入/検出効率は電極と半導体の界面の構造にも依存するため、その評価を行うことは重要である。今回の講演ではプラズマ支援分子線エピタキシー(PA-MBE)によるGaN(0001)面上への窒化鉄薄膜の成長とその界面構造について報告する。