2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月15日(火) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)

座長:小林 康之(弘前大),太田 実雄(東大)

10:30 〜 10:45

[15a-1D-7] ガラス基板上窒化物半導体薄膜トランジスタの特性

伊藤 剛輝1、〇小林 篤1、上野 耕平1、太田 実雄1、藤岡 洋1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：InGaN、薄膜トランジスタ