2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月15日(火) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)

座長:小林 康之(弘前大),太田 実雄(東大)

10:45 〜 11:00

▲ [15a-1D-8] Thin-film transistors based on InN grown on polymer sheets at room temperature

〇KheShin Lye1, Takeki Itoh1, Atsushi Kobayashi1, Kohei Ueno1, Jitsuo Ohta1, Hiroshi Fujioka1,2 (1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-ACCEL)

キーワード：InN