2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[15a-1E-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2015年9月15日(火) 09:00 〜 11:30 1E (143)

座長:沼居 貴陽(立命大)

10:30 〜 10:45

[15a-1E-7] 赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作

〇杉村 和哉1、大森 雅登1、野田 武司2、Vitushinskiy Pavel1、岩田 直高1、榊 裕之1,2 (1.豊田工大、2.物材研)

キーワード:赤外線検出器、フォトトランジスタ、室温動作

1.5µm帯を含む短波長赤外光(SWIR)は、夜間に大気から強く放射されており、これを照明光とする暗視カメラが注目されている。しかしSWIR域の検出器は、感度が低く、暗電流も大きい課題がある。そこで我々は、エネルギーバンド構造が三角形をした光増倍型三角障壁フォトトランジスタに着目している。今回、InGaAsとInAlAsで障壁層を構成した赤外用素子を試作し、室温で小さな暗電流を得たので報告する。