[15a-2H-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-2H-6] ペロブスカイト酸化物における抵抗スイッチング現象の機構解明

〇塩見 俊樹¹、萩原 祐仁¹、岸田 悟^1,2、木下 健太郎^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、酸化物エレクトロニクス