The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.4 Plasma etching

[15a-2Q-1~12] 8.4 Plasma etching

Tue. Sep 15, 2015 9:00 AM - 12:15 PM 2Q (231-1)

座長:辰巳 哲也(ソニー),石川 健治(名大)

12:00 PM - 12:15 PM

[15a-2Q-12] Ar plasma Effects on Si and Al2O3 substrates

〇Masashi Seki1, Chiaki Tanuma2 (1.Toshiba TEC Corp., 2.Hosei Univ.)

Keywords:Ar plasma

Arプラズマは、成膜プロセス技術、MEMSプロセス技術において基板表面の改質・洗浄、フォトマスクの除去、微細加工などに用いられている。Arプラズマの照射によってSi基板表面の結晶構造が乱れ、Ar原子が残留することが報告されている。Ar原子がSi基板表面に残留すると、基板の反り、フォトマスクの発泡、薄膜のピンホールが発生する可能性があり、MEMSプロセスで問題となる。これまでの研究で、Si基板でのAr原子の離脱条件を確認したが、Ar原子がSi基板表面に残留する原因は究明できていない。本報告では、格子間隔が異なるSiとAl2O3基板にArプラズマ処理を行い、基板表面に残留したAr原子が基板に与える影響と、Ar原子が基板表面に残留する原因を説明する。