[15a-2Q-1~12] 8.4 プラズマエッチング

[15a-2Q-4] 硅弗化アンモニウムの生成と熱脱離を用いたSiNの自己飽和性サイクルエッチング

〇篠田 和典¹、松井 都¹、前田 賢治¹、工藤 豊²、金清 任光²、伊澤 勝²、石川 健治³、堀 勝³ (1.日立研開、2.日立ハイテク、3.名大)

キーワード：エッチング、窒化ケイ素

SiN表面に(NH₄)₂SiF₆を生成した後に熱脱離させる工程を繰り返す，SiNのサイクルエッチング技術を開発した。真空一環XPS分析により，CF系ラジカルを照射することでSiN表面に(NH₄)₂SiF₆が生成することを確認した。ラジカル照射と100℃加熱を繰り返したところ，1サイクル毎にSiNが2.6 nmずつエッチングされた。エッチング量はラジカル照射時間に依存せず，自己飽和性を確認した。