[15a-2Q-1~12] 8.4 プラズマエッチング

△ [15a-2Q-5] 赤外光照射によるSiNの高選択サイクルエッチング

〇三好 信哉¹、小林 浩之¹、篠田 和典¹、前田 賢治¹、工藤 豊²、金清 任光²、伊澤 勝² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

キーワード：エッチング、窒化ケイ素

(NH₄)₂SiF₆の形成と除去を利用したSiNのサイクルエッチングに関して，赤外光加熱による処理の高速化を行った。10s間の赤外光照射によって(NH₄)₂SiF₆層を除去できることが分かった。またサイクル数に対してエッチング量が線形に増加すること，及びSiO₂のエッチング量がほぼ0nmであることから，SiNの高選択なサイクルエッチングが実証できた。