[15a-2Q-1~12] 8.4 Plasma etching

△ [15a-2Q-9] Hydrogen-damage-layer effects on ZnO etching by CH₄ plasma

〇HU LI¹, Kazuhiro Karahashi¹, Masanaga Fukasawa², Kazunori Nagahata², Tetsuya Tatsumi², Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka Univ., 2.Sony)

Keywords:ZnO,Hydrogen,Etching

光電子デバイスの急速な発展に伴ない、透明導電膜の高精度な微細加工が求められている。こうした技術の確立のためには、ITO(Indium tin oxide)やZnO等透明導電性材料のエッチング反応機構の詳細な解明が必要である。CH_x系反応性プラズマを用いるエッチングに関して、著者らは、過去に、CH₃⁺とCH⁺イオンはZnOに対し異なる反応性を示し、かつ、H⁺イオン及びHラジカルはZnOエッチングの進行に大きく寄与することを明らかにした。今回の研究では、H⁺イオンによるZnO表面のダメージ層生成に着目し、そのエッチング特性に対する効果を明らかにした。