The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma measurements and diagnostics

[15a-2V-1~10] 8.2 Plasma measurements and diagnostics

Tue. Sep 15, 2015 9:00 AM - 11:30 AM 2V (234-1(South))

座長:佐々木 浩一(北大)

9:45 AM - 10:00 AM

[15a-2V-4] Surface wave probe measurement of electron density in pulse-modulated plasma etch system

〇YOSHINOBU OHYA1, MANABU IWATA1, HIDEO SUGAI2 (1.TEL Miyagi, 2.Chubu Univ.)

Keywords:surface wave probe,electron density,reactive plasma

半導体製造の量産エッチング装置として、容量結合型プラズマに(CCP)おいてもパルス変調が広く用いられるようになってきた。CCP放電の電子密度計測として非常に有効な表面波プローブは、これまでは時間分解計測が困難であった。今回、ネットワークアナライザーをプラズマ生成のRF電源と同期させることで、1μsecオーダーの電子密度の時間分解計測をすることに成功した。