[15a-4C-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-4C-1] Cu/Al/Mo/Au and Ni/Al/Mo/Au ohmic contacts for AlGaN/GaN heterostructures

〇Aki Sasakura¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ.)

Keywords:AlGaN/GaN HEMT,Ohmic contact,Contact resistance

AlGaN/GaNヘテロ界面には，高電子濃度で高移動度の2次元電子ガス（2DEG）が形成されることが知られている．AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)は，低オン抵抗・大電流・高耐圧特性に優れた次世代パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaNに対するオーミック金属としては，従来Ti/Al系が用いられてきた.本研究では，AlGaN/GaNへのオーミック金属の最下層の積層金属に着目し，Cu/Al/Mo/AuとNi/Al/Mo/Auの新規な積層金属についてオーミック接触形成を試みた．