[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-1] AlGaN/GaNヘテロ接合へのCu/Al/Mo/Au，Ni/Al/Mo/Auを用いたオーミック接触形成

〇篠倉 暁希¹、Asubar Joel¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大学)

キーワード：AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ、オーミック接触、接触抵抗

AlGaN/GaNヘテロ界面には，高電子濃度で高移動度の2次元電子ガス（2DEG）が形成されることが知られている．AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)は，低オン抵抗・大電流・高耐圧特性に優れた次世代パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaNに対するオーミック金属としては，従来Ti/Al系が用いられてきた.本研究では，AlGaN/GaNへのオーミック金属の最下層の積層金属に着目し，Cu/Al/Mo/AuとNi/Al/Mo/Auの新規な積層金属についてオーミック接触形成を試みた．