2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:30 4C (432)

座長:牧山 剛三(富士通研)

10:00 〜 10:15

[15a-4C-5] 界面顕微光応答法を用いたAu/a-IGZOショットキー接触の通電劣化の2次元評価

〇新郷 正人1、塩島 謙次1 (1.福井大院工)

キーワード:界面顕微光応答法、酸化物半導体、ショットキー接触