[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15a-4C-7] 裏面光照射電気化学法によるGaN陽極酸化表面の分析

〇枝元 将彰¹、熊崎 祐介¹、谷田部 然治¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ)

キーワード：窒化ガリウム、光電気化学反応、陽極酸化

GaN表面のウェット酸化プロセスは、一般にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光（hn > E_g）を反応面である試料表面へ照射して行われる。本研究では、酸化過程の詳細を明らかにするため、試料裏面より光を照射しながら陽極酸化を行い、表面分析を行った。