[15a-4F-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

[15a-4F-4] 光電子分光法を用いた N-doped DLC 薄膜の評価

〇村田 悠馬¹、市原 文彦¹、小野 洋¹、Cheow-keong Choo²、桑原 大介¹、田中 勝己¹ (1.電通大先進理工、2.電通大国際交流)

キーワード：アモルファスカーボン、光電子分光法、窒素ドープ

N-doped DLC 薄膜がNH₃, CH₄ガスの大気圧熱分解法により, セラミック基板上に作製され, 化学状態及び価電子帯の電子状態がXPS, UPS によって評価された。XPSでは, C-N結合の化学シフトから,これは N-sp²C, N-sp³C に起因すると帰属した。UPSスペクトルでは, ~4 eV, ~7eVにp-π, p-σに対応するピークが観測され, N-dope DLC では物性を特徴付けるフェルミ準位近傍に局在化した電子状態を初めて観測した。Nによる価電子帯における振舞と電子状態の観点について新しい知見を得た。