[15a-PB1-1~16] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[15a-PB1-6] Formation of Si/Ge and Ge/Si core-shell nanowires and their impurity doping

〇(M1)Kotaro Nishibe^1,2, Minke Yu², Wipakorn Jevasuwan², Toshiaki Takei², Naoki Fukata² (1.Tsukuba Univ., 2.NIMS.)

Keywords:silicon,nanowires,doping

我々のグループではSi と Ge を用いた一次元のコアシェルナノワイヤからなる構造を利用することで、不純物散乱を抑制した新しい高移動度チャネルの形成を目指している。上述のデバイス実現にむけて、Si/Ge および Ge/Siコアシェルナノワイヤの形成と不純物ドーピング制御に関する実験を行った。ラマン分光及びXRD測定の結果、Si/Geコアシェルナノワイヤ内部の結晶性およびヘテロ構造からなる応力を評価することができた。