[15a-PB1-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15a-PB1-6] Si/GeおよびGe/Siコアシェルナノ構造の形成と不純物ドーピング制御

〇(M1)西部 康太郎^1,2、余 銘珂²、Jevasuwan Wipakorn²、武井 俊朗²、深田 直樹² (1.筑波大院、2.物材機構)

キーワード：シリコン、ナノワイヤ、ドーピング

我々のグループではSi と Ge を用いた一次元のコアシェルナノワイヤからなる構造を利用することで、不純物散乱を抑制した新しい高移動度チャネルの形成を目指している。上述のデバイス実現にむけて、Si/Ge および Ge/Siコアシェルナノワイヤの形成と不純物ドーピング制御に関する実験を行った。ラマン分光及びXRD測定の結果、Si/Geコアシェルナノワイヤ内部の結晶性およびヘテロ構造からなる応力を評価することができた。