The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15a-PB3-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Tue. Sep 15, 2015 9:30 AM - 11:30 AM PB3 (Shirotori Hall)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-PB3-10] Electric characteristic evaluation of Graphene layer on Si with patterning Ni

〇(M1)Yukinori Arima1, Makoto Miyoshi1, Toshiharu Kubo1, Takashi Egawa1 (1.Nagoya Inst. of Tech)

Keywords:Graphene,Patterning Ni

我々は、触媒金属の凝集現象を利用した独自の方法によって、絶縁基板上にグラフェン薄膜を直接形成することに成功している。本研究では、予め形成した金属Niパターンを用いて金属凝集をコントロールすることで、グラフェン生成とデバイスパターン形成を同時に誘発させることを試みたので報告する。