2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-PB3-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月15日(火) 09:30 〜 11:30 PB3 (白鳥ホール)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-10] Niパターンを用いて作製したSi基板上グラフェン膜の電気特性評価

〇(M1)有馬 幸記1、三好 実人1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)

キーワード:グラフェン、Niパターン

我々は、触媒金属の凝集現象を利用した独自の方法によって、絶縁基板上にグラフェン薄膜を直接形成することに成功している。本研究では、予め形成した金属Niパターンを用いて金属凝集をコントロールすることで、グラフェン生成とデバイスパターン形成を同時に誘発させることを試みたので報告する。