The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15a-PB3-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Tue. Sep 15, 2015 9:30 AM - 11:30 AM PB3 (Shirotori Hall)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-PB3-8] Synthesis of Si-based Nanostructures using silicides as templates by IP6 treatment

〇kenta sasaki1, Koki Sano1, Xiang Meng1, Hiroaki Suzuki1, Hirokazu Tatsuoka1 (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:semiconductor,nanostructure,silicide

近年、バルク結晶にない新しい物性の発現を目的としてナノスケールで構造制御された材料の開発が進められている。Si系ナノシートについてはCaSi2結晶からCa原子の脱離することにより作成されてきた。これらの構造は元のシリサイドの基本構造を保持するためSi系ナノ構造の作製が期待される。ここでは様々なシリサイドをテンプレートとして用い、シリコン系ナノ構造物を室温、大気圧下での作製を試みた。