2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-PB3-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月15日(火) 09:30 〜 11:30 PB3 (白鳥ホール)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-8] シリサイドをテンプレートとしたIP6処理によるシリコン系ナノ構造物の作製

〇佐々木 謙太1、佐野 晃希1、孟 祥1、鈴木 博明1、立岡 浩一1 (1.静岡大工)

キーワード:半導体、ナノ構造、シリサイド

近年、バルク結晶にない新しい物性の発現を目的としてナノスケールで構造制御された材料の開発が進められている。Si系ナノシートについてはCaSi2結晶からCa原子の脱離することにより作成されてきた。これらの構造は元のシリサイドの基本構造を保持するためSi系ナノ構造の作製が期待される。ここでは様々なシリサイドをテンプレートとして用い、シリコン系ナノ構造物を室温、大気圧下での作製を試みた。