[15a-PB4-1~9] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[15a-PB4-6] Electromigratiom tests of solder bumps with a new test-structure using flat cables

〇Naoki Azuma¹, Misaki Ohwada¹, Takumi Abe¹, Tsutomu Nakada², Makoto Kubota², Kazuyoshi Ueno¹ (1.Shibaura Inst. Tech., 2.EBARA Corp.)

Keywords:semiconductor

現在LSIのフリップチップ実装において、バンプの微細化に伴う電流密度の増加により、Cu/はんだ接合部でのエレクトロマイグレーション(EM)が懸念されている。 EMによる故障を防止するために、バンプのめっき条件最適化などEM信頼性の向上に向けたプロセス開発が必要である。そのためにはEM耐性を評価する必要があるが、従来のEM試験ではデイジーチェーンなどのTEGパターンが用いられ、パターン作製、パッケージ組み立て等の手間や試験設備にコストが必要であり、プロセス開発にフィードバックしやすく、より簡単にEMを評価できる試験方法が求められている。そこで本研究では、フラットケーブルを用いる新しいバンプEM試験方法を検討した。