[15a-PB4-1~9] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[15a-PB4-6] フラットケーブルを用いたはんだバンプのエレクトロマイグレーション試験

〇我妻 直紀¹、大和田 岬¹、阿部 拓実¹、中田 勉²、久保田 誠²、上野 和良¹ (1.芝浦工大、2.荏原製作所)

キーワード：半導体

現在LSIのフリップチップ実装において、バンプの微細化に伴う電流密度の増加により、Cu/はんだ接合部でのエレクトロマイグレーション(EM)が懸念されている。 EMによる故障を防止するために、バンプのめっき条件最適化などEM信頼性の向上に向けたプロセス開発が必要である。そのためにはEM耐性を評価する必要があるが、従来のEM試験ではデイジーチェーンなどのTEGパターンが用いられ、パターン作製、パッケージ組み立て等の手間や試験設備にコストが必要であり、プロセス開発にフィードバックしやすく、より簡単にEMを評価できる試験方法が求められている。そこで本研究では、フラットケーブルを用いる新しいバンプEM試験方法を検討した。