[15a-PB4-1~9] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [15a-PB4-9] 高誘電率膜を有するガラス基板上の平面型メタルダブルゲートジャンクションレスp-ch低温poly-Ge TFT

〇西村 勇哉¹、仁部 翔太¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：半導体、Ge、TFT

我々は、ガラス基板上に簡単かつ安価なプロセスを利用して高誘電率膜を有する平面型メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTを作成することを目的に研究を進めている。今回、poly-Geの膜厚を25 nmに薄膜化したこと及びpoly-Ge膜形成のSPC熱処理を改良することで、2015年春応用物理学会報告(13a-P14-6)の4倍のon/off比の改善に成功した。