[15p-1A-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-1A-11] Stacking Fault Expansion in 4H-SiC by Electron-beam Erradiation and Contraction by Thermal Annealing

〇Yoshifumi Yamashita¹, Ryu Nakata¹, Takuya Shimomura¹, Takeshi Nishikawa¹, Yasuhiko Hayashi¹ (1.Okayama Univ.)

Keywords:4H-SiC,Stacking Fault,Partial Dislocation Motion

4H-SiCに意図的にスクラッチを入れ，その周辺にSEMを用いた電子線照射を行い，積層欠陥(SF)を発生・拡大させた。その拡大速度は非常に大きくばらついたが，その主原因は，SFの重なりであることを解明した。また，熱処理によりSFが縮小する速度測定も行った。熱処理初期にはSFの縁＝部分転位(PD)によるエッチピットは移動しないことを見出した。この時間帯に結晶中でPDの向きが変化していると考えられる。