[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-1A-11] 4H-SiC中積層欠陥の電子線照射による拡大と熱処理による縮小

〇山下 善文¹、中田 龍¹、下村 拓也¹、西川 亘¹、林 靖彦¹ (1.岡山大院自然)

キーワード：4H-SiC、積層欠陥、部分転位運動

4H-SiCに意図的にスクラッチを入れ，その周辺にSEMを用いた電子線照射を行い，積層欠陥(SF)を発生・拡大させた。その拡大速度は非常に大きくばらついたが，その主原因は，SFの重なりであることを解明した。また，熱処理によりSFが縮小する速度測定も行った。熱処理初期にはSFの縁＝部分転位(PD)によるエッチピットは移動しないことを見出した。この時間帯に結晶中でPDの向きが変化していると考えられる。