[15p-1A-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-1A-13] Performance improvement of 3C-SiC photoelectrodes by supporting catalysts

〇naoto ichikawa¹, Masashi Kato¹, Masaya Ichimura¹ (1.NIT)

Keywords:silicon carbide,photoelectrode,catalyst

3C-SiCは化学的に安定、可視光吸収可能と光電極材料に適した特徴を持つ。我々は以前に12mA/Wの光電流を示す3C-SiC光電極の報告をした。今回我々はこの3C-SiC光電極に助触媒としてPt、Pdを担持することで性能向上を達成したため報告する。