[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-1A-9] THzエリプソメトリーによるSiCエピタキシャル膜の非接触・非破壊電気特性測定

〇藤井 高志^1,2、岩本 敏志¹、佐藤 幸徳¹、達 紘平²、荒木 務²、名西 憓之²、杉江 隆一³、森田 直威³、長島 健⁴ (1.日邦プレシジョン、2.立命館大、3.東レリサーチセンター、4.摂南大)

キーワード：炭化シリコン、テラヘルツ、エリプソメトリー

我々は、半導体材料の非接触・非破壊電気特性手法として、THz周波数帯のエリプソメトリーを提案している。今回は、SiC基板上に5種類のキャリア濃度（1E15~１E17cm^-3）のSiCエピタキシャル膜（膜厚～10μm）を育成し、THzエリプソメトリーにより電気特性を測定した。また、同時に、CV測定により不純物濃度より推定されるキャリア濃度と比較した。その結果、THzエリプソメトリーにより測定されたキャリア濃度は、CV測定から推定されるキャリア濃度より若干低濃度であった。この結果は、従来のホール測定とCV測定の関係と一致している。装置の高精度化、解析の精密化により、10¹⁴cm^-3台のキャリア濃度測定も可能と考えている。