[15p-1B-1~18] 21.1 Joint Session K

△ [15p-1B-1] Strong Fermi-level pinning at metal/β-Ga₂O₃ (-201) interfaces

〇Ryo Wakabayashi¹, Takayoshi Oshima¹, Mai Hattori¹, Kohei Sasaki², Takekazu Masui², Akito Kuramata², Shigenobu Yamakoshi², Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,3 (1.Tokyo Institute of Technology Univ., 2.Tamura Corporation, 3.MCES)

Keywords:Gallium oxide,Schottky contact

金属/半導体界面におけるフェルミ準位ピンニング効果は古くから知られている．β-Ga₂O₃においては金属/β-Ga₂O₃ショットキー接合のダイオード特性や光検出器の動作が報告されているが，この効果に関する詳細な議論は行われていない．今回我々は金属/β-Ga₂O₃界面において，電流-電圧特性からショットキー障壁高さを算出したところ，表面処理にほとんど影響されない強いピンニング効果を観測した．