[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-10] [講演奨励賞受賞記念講演] 塗布型a-InZnO薄膜トランジスタに向けた銀ナノペーストの印刷適性

〇浦川 哲^1,2、石河 泰明¹、長田 至弘¹、藤井 茉実¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.学振特別研究員DC)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、印刷形成

本研究ではスイッチング素子である薄膜トランジスタ（TFT）のプリント化を目指して，透明酸化物半導体であるInZnOと銀電極のプリント形成を行った．作製したTFTは明確なスイッチング特性と高い特性収率を示した．また，従来スパッタ法による銀電極で見られた半導体界面の酸化膜形成は見られず，そのオン電流特性もスパッタ銀に対してプリント銀は一桁高い値を示すことから，プリント銀はInZnOにおいて有用な電極であると言える．