[15p-1B-1~18] 21.1 Joint Session K

[15p-1B-14] Study on Preparation of an IGZO Precursor Solution with Coatability and the Annealing Process

〇SHINTARO OGURA¹, Hea-jeong Cheong¹, Sei Uemura¹, Hirobumi Ushijima¹, Nobuko Fukuda¹ (1.AIST)

Keywords:oxide semiconductor,solution process

IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温で成膜可能であり、移動度10 cm²/Vsを超える性能を持つことから、アモルファスシリコンに代わる半導体材料として注目されている。通常、酸化物半導体は、真空下でのスパッタリング法によって成膜されるが、成膜プロセス時間の短縮によるコストダウンを図るため、溶液塗布による成膜プロセスも検討されている。 今回は、有機物由来の不純物の低減および塗布性を考慮したIGZO前駆体溶液を作製し、それに適した焼成プロセスも合わせて検討した。