[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-14] 塗布性を向上させたIGZO前駆体溶液の作製と焼成プロセスの検討

〇小倉 晋太郎¹、鄭 恵貞¹、植村 聖¹、牛島 洋史¹、福田 伸子¹ (1.産総研)

キーワード：酸化物半導体、溶液プロセス

IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温で成膜可能であり、移動度10 cm²/Vsを超える性能を持つことから、アモルファスシリコンに代わる半導体材料として注目されている。通常、酸化物半導体は、真空下でのスパッタリング法によって成膜されるが、成膜プロセス時間の短縮によるコストダウンを図るため、溶液塗布による成膜プロセスも検討されている。 今回は、有機物由来の不純物の低減および塗布性を考慮したIGZO前駆体溶液を作製し、それに適した焼成プロセスも合わせて検討した。