[15p-1B-1~18] 21.1 Joint Session K

[15p-1B-16] Double-layer Amorphous InSiO Thin-film Transistors

〇(PC)Takio Kizu¹, Shinya Aikawa^1,2, Toshihide Nabatame¹, Kazuhito Tsukagoshi¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:Oxide semiconductor,Indium oxide,Double-layer

酸素結合解離エネルギーの高い材料を酸化インジウムに微量添加することで，安定性や移動度の高いアモルファス酸化薄膜トランジスタ（TFT）の研究を行ってきた．これまでに，ドーパント濃度の低いInSiO膜は高い移動度を有する一方で，成膜時の酸素濃度による閾値電圧の制御及び安定性の確保が難しかった．本研究では，SiO₂添加量の異なる2種類のInSiO膜を重ねた二層構造とすることで，ドーパント濃度の低いInSiO膜の安定性改善をねらった．