[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-16] 二層InSiO構造を用いた薄膜トランジスタ

〇(PC)木津 たきお¹、相川 慎也^1,2、生田目 俊秀¹、塚越 一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大)

キーワード：酸化膜半導体、酸化インジウム、二層構造

酸素結合解離エネルギーの高い材料を酸化インジウムに微量添加することで，安定性や移動度の高いアモルファス酸化薄膜トランジスタ（TFT）の研究を行ってきた．これまでに，ドーパント濃度の低いInSiO膜は高い移動度を有する一方で，成膜時の酸素濃度による閾値電圧の制御及び安定性の確保が難しかった．本研究では，SiO₂添加量の異なる2種類のInSiO膜を重ねた二層構造とすることで，ドーパント濃度の低いInSiO膜の安定性改善をねらった．