[15p-1B-1~18] 21.1 Joint Session K

△ [15p-1B-18] Top-Gate Self-Aligned IGZO TFT Using Printed Organic Gate Insulator

〇(D)Tatsuya Toda¹, Yusaku Magari¹, Mamoru Furuta¹ (1.Kochi Univ. of Tech.)

Keywords:InGaZnO,Organic gate insulator,Self-aligned

塗布型有機ゲート絶縁膜を用いた、トップゲート・セルフアライン型InGaZnO薄膜トランジスタ (IGZO TFT) の作製に取り組んだ。CVDフリーかつ、200 ℃以下（ポストアニール処理含む）の作製プロセスにより、飽和電界効果移動度7.8 cm²/V・s、S値0.28 V/dec.、ヒステリシス 0.4 V という良好なTFT特性を得ることが出来た。