[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-18] 塗布型有機ゲート絶縁膜を用いたトップゲート・セルフアライン型IGZO TFT

〇(D)戸田 達也¹、曲 勇作¹、古田 守¹ (1.高知工大)

キーワード：IGZO、有機ゲート絶縁膜、セルフアライン

塗布型有機ゲート絶縁膜を用いた、トップゲート・セルフアライン型InGaZnO薄膜トランジスタ (IGZO TFT) の作製に取り組んだ。CVDフリーかつ、200 ℃以下（ポストアニール処理含む）の作製プロセスにより、飽和電界効果移動度7.8 cm²/V・s、S値0.28 V/dec.、ヒステリシス 0.4 V という良好なTFT特性を得ることが出来た。