[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-8] 不純物水素がアモルファスIn-Ga-Zn-Oの欠陥に及ぼす影響

Tang Haochun¹、〇神谷 利夫^1,2、石川 恭平¹、井手 啓介¹、平松 秀典¹、上田 茂典³、大橋 直樹^2,3、雲見 日出也²、細野 秀雄^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素センター、3.物材機構)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、価電子帯直上欠陥、不純物水素

不純物水素がアモルファスIn-Ga-Zn-Oのサブギャップ欠陥に及ぼす影響をHAXPESなどを用いて調べた。その結果、不純物水素が製膜室中に存在することで、膜成長中に強い還元反応が起こり、金属Inが析出することが認められた。また、不純物水素を減らすことで、最適酸素分圧が劇的に低下することも確認できた。